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  芯片的职能受温度的影响特地大,紧要涌现为零点和聪慧度随温度变革而爆发漂移,形成漂移的底子由来正在:正在工艺修造中,构成惠斯登电桥的四个电阻条的皮相掺杂浓度和扩散电阻条宽度不行够一律划一,以致四个电阻的阻值纷歧律相当,温度系数不相当,导致当输入压力为0时,电桥输出不为0,同时该输出随温度的变革而爆发漂移,即零点温度漂移;半导体的温度性子导致压阻系数随温度变革,导致压力聪慧也随温度爆发漂移;别的,后道工序的芯片与玻璃的静电封装、粘接、硅油及容腔打算等都邑附加温度影响。综上身分,对封装后的压力

  (不带温补芯体)的赔偿蕴涵零点偏移校准、零点温度漂移赔偿和聪慧度温度赔偿。

  的温度赔偿日常是正在其桥臂串并联电阻或者热敏电阻等手腕来告终。而这些手腕只可用于精度较低的局面。因为赔偿电阻与压力

  中惠斯登电桥的电阻系数不划一,测试也对照贫寒,是以无论哪种温度赔偿格式都无法到达优越的成就,对付请求较高的利用界限(如医疗开发、气动掌握等)这些赔偿手腕很难告终。是以,压力

  的温度赔偿平昔是困扰用户的困难所正在,也是压力传感器钻研和坐褥的一个症结技艺题目。

  其次是微压、低压传感器的缔造技艺和工艺对照高,所涉及到的缔造开发特地腾贵。现正在市情低压量程压力传感器对照少,价值不菲。与之相反,高压量程的压力传感器的缔酿本钱却对照低。是以,微压、低压传感器的精度和价值也是用户所顾虑的题目。

  最终是压力传感器晶圆的封装技艺依然成为MEMS坐褥中的瓶颈。MEMS产物早期的封装技艺大无数是借用半导体IC界限中现成的封装工艺,可是,因为各式产物的应用鸿沟和利用境遇的分别,其封装也没有团结的式子,应依照整体的应用情形抉择合适的封装式子。同时,正在MEMS产物的缔造流程中,封装只可单个举行而不行巨额量同时举行。封装正在MEMS产物总用度中约霸占40%-60%的比例,封装技艺已成为MEMS坐褥中的症结技艺之一。日常MEMS产物的量对照幼,代工场就不甘心举行MEMS产物的封装和测试,绝大无数压力传感器的封装都由海表已毕。是以,压力传感器的封装是否牢靠也是用户顾忌所正在。

  美国SMI公司专业坐褥各式硅微机合压力传感器,具有特殊的低压膜技艺、优秀的深度离子刻蚀(DRIE)和等离子焊接才智。SMI公司坐褥的微压传感器、低压传感器正在商场上独具特性,低压量程压力传感器精度至今仍为同类产物的20倍以上。

  SMI公司坐褥压力传感器SM58系列压力传感器处分了以上所先容的各种困难,省去了繁琐的温度赔偿电道和放大电道,用户很容易应用。SM58系列压力传感器维系了美国最优秀的压力传感器技艺与CMOS数字信号处罚技艺坐褥出拥有信号放大、校准和温度赔偿的压力传感器。SM58系列拥有如下益处:

  平凡利用于汽车车用压力传感器、气压计、医疗开发、风力掌握、氛围流量计、呼吸器和透风机等等。

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